Samsung heeft een techniek ontwikkeld om met through silicon via's dram-chips te maken die uit twaalf lagen bestaan. Het huidige maximum ligt op acht lagen. Samsung gaat de technologie onder andere gebruiken in hbm2-chips.
Volgens Samsung maken de nieuwe chips voor het eerst gebruik van tsv's met twaalf lagen. Samsung gebruikte al tsv's voor zijn hbm2-geheugen, maar daarbij was het maximaal tot nu toe acht lagen. Met dies van 16Gbit per stuk leverde dat tot nu toe een maximale capaciteit op van 16GB per package. Door twaalf lagen te gebruiken wordt dat nu maximaal 24GB.
Samsung behoudt met zijn nieuwe twaalflaags-tsv-chips een hoogte van 720 micrometer. De huidige dram-chips van Samsung met acht lagen zijn even hoog. Samsung gaat de nieuwe techniek in eerste instantie toepassen bij de productie van hbm2-chips met een capaciteit van 24GB. Momenteel produceert Samsung hbm2-chips met een capaciteit van maximaal 16GB. Dit geheugentype wordt met name gebruikt in high-end videokaarten voor servers.
Het stapelen van chips wordt gedaan om ruimte zo efficiënt mogelijk te benutten. Een van de technieken die fabrikanten kunnen toepassen om de geheugendichtheid in chips op te voeren, is het stapelen van dies. Daarmee neemt de geheugencapaciteit toe en blijft de benodigde ruimte gelijk.
Anders dan bij wire bonding, waarbij de chips via bedrading aan de geheugencontrollers worden aangesloten, loopt de verbinding bij tsv-technologie door de chips heen. Dit gaat via miniscule kanalen, waarvan de nieuwe twaalflaags-chips er 60.000 bevatten. Dit staat gelijk aan 5000 kanalen per laag.