Samsung is de massaproductie van 4GB-dram met hbm2-interface gestart. Ten opzichte van de dram-modules op basis van de eerste generatie high bandwidth memory, is de bandbreedte verdubbeld naar 256GB/s.
De 4GB-dram-packages op basis van hbm2 bestaan uit vier 8Gbit-plakken, die gestapeld zijn en elk over vijfduizend through silicon via-kanalen beschikken, en daarmee verticaal met elkaar verbonden zijn. Nog dit jaar wil Samsung ook de eerste 8GB-hbm2-modules produceren. De Jedec-organisatie heeft hbm2 vorige week tot standaard verklaard. De standaard verhoogt de breedte van de interface tot 1024bit, verdeeld over acht onafhankelijke kanalen per dram-stack.
De bandbreedte van JESD235A, zoals de hbm2-standaard officieel heet, bedraagt maximaal 256GB/s en dit is dan ook de bandbreedte van Samsungs nieuwe packages. De fabrikant benadrukt dat de bandbreedte hiermee verdubbeld is ten opzichte van hbm1 en zeven keer zo hoog is als die van 4Gbit-ddr5-chips. Daarnaast verdubbelt hbm2 de bandbreedte per watt ten opzichte van gddr5, claimt Samsung.
Hbm2 is onder andere bedoeld voor videokaartgeheugen; AMD hanteert hbm1 bij zijn Fury- en Nano-videokaarten. De verwachting is dat zowel AMD als Nvidia van hbm2 gebruik gaat maken. Daarnaast is het geheugen in te zetten voor high performance computing, workstations en servers. Ten opzichte van gddr5 biedt hbm niet alleen een hogere bandbreedte, maar ook voordelen op het gebied van de ruimte die het op een videokaart inneemt.