ARM heeft de energiezuinige Cortex-M0-mcu aangekondigd. Code voor de Cortex-M0, die een energieverbruik van slechts 85μW/MHz heeft bij een kloksnelheid 50MHz, kan ook draaien op de Cortex-M3-serie.
De nieuwe processor is volgens ARM bedoeld voor gebruik in onder meer medische apparaten, verlichting, compacte voedingen, game-accessoires en regelsystemen. Ook kan de chip, in mcu-vorm of als soc, overweg met een mix van analoge en digitale signalen afkomstig van 'smart sensors'. Volgens ARM levert de Cortex-M0 '32bit-prestaties voor 8bit-prijzen'.
De Cortex-M0 bevat een ARM-kern en ondersteunende logica waaronder een debugger en een amba-interface. Het energieverbruik van 85μW/MHz wordt gerealiseerd op een speciaal 180nm-procedé, terwijl de chip bestaat uit slechts 12.000 logische poorten. Ter vergelijking: een ARM7-chipkern bevat ongeveer 40.000 gates. De Cortex-M0 ondersteunt de Thumb 2-instructieset waardoor compacte, maar krachtige code is te schrijven.
De eerste licentienemers hebben zich al gemeld voor de nieuwe zuinige processor. Zo gaat NXP de Cortex-M0-processor gebruiken in zijn chips vanwege de belofte van kleinere en zuiniger halfgeleiders, en vanwege de het feit dat code geschreven voor de Cortex-M0 ook kan draaien op NXP-chips op basis van de Cortex-M3-kern. Triad Semiconductor, een producent van mixed signal-asic's, wil de Cortex-M0 koppelen aan zijn programmeerbare analoge en digitale logica.

Volgens mij zijn er al een tijdje 'dedicated' MP3 chips, dus dat zou alleen maar handig zijn als het een chip was die meerdere taken zou moeten doen.Overigens wie zegt dat deze chip niet prima in staat is MP3s te decoderen?
[Reactie gewijzigd door Sphere- op maandag 23 februari 2009 19:12]
[Reactie gewijzigd door spNk op maandag 23 februari 2009 21:54]
Aangezien deze processor "maar" op 50MHz draait is de capaciteit niet zo belangrijk. Maar de lekstroom wel.Second is so-called "junction leakage" from either the source or the drain into the silicon substrate, which literally happens to some degree all the time. The third cause of leakage concerns the insulator bar at the gate. With each new lithography process generation, Intel has generally made that layer thinner - recently as thin as a mere five atoms of thickness. That enables a higher-performing, faster-switching transistor," said Willoner. "But as we make it thinner, electrons leak through - it becomes porous. That's another undesirable effect."
[Reactie gewijzigd door worldcitizen op maandag 23 februari 2009 18:09]
[Reactie gewijzigd door Vastloper op dinsdag 24 februari 2009 12:18]
Op dit item kan niet meer gereageerd worden.
Populair: Tablets Samsung Websites en communities Mobiele telefoons Google Apple Microsoft Sony Games Politiek en recht
© 1998 - 2013 Tweakers.net B.V. Contact Over Tweakers Jouw privacy Algemene voorwaarden Cookies
Tweakers wordt uitgegeven door De Persgroep en wordt gehost door True