Samsung heeft de ontwikkeling van zijn 8LPP-procedé voor chipproductie gereed. Chips die de fabrikant op basis van de techniek gaat produceren, zijn zuiniger en kleiner in omvang dan 10LPP-versies.
Het 8nm-finfetprocedé, waar Samsung de aanduiding 'low power plus' aan koppelt, is bedoeld voor chips voor mobiel, cryptomining en netwerk- en serverproducten, meldt de Koreaanse fabrikant. De node is tot tien procent zuiniger en levert een verkleining op van de omvang van het chipoppervlak van tien procent ten opzichte van het huidige 10LPP-procedé. Dit komt door het versmallen van de metal pitch, de afstand tussen de metalen contactlijnen, of interconnects, waardoor de elektronen stromen en die aan weerszijden van de transistors zitten.
Samsung verwacht dat de productie snel op stoom kan komen, doordat deze gebruikmaakt van dezelfde technologie als die voor 10LPP. Verder claimt het bedrijf dat de kwalificatie van 8LPP drie maanden voor op schema ligt.
Samsung lijkt het procedé nog niet in te kunnen zetten voor het maken van zijn komende Exynos-processor voor een eventuele Galaxy S9. Die wordt waarschijnlijk op 10LPP gemaakt. Begin dit jaar liet Samsung weten dat de massaproductie van 10LPP eind dit jaar zou beginnen. Ook is het de vraag wat de verschillen zijn tussen 8LPP en het vorig jaar aangekondigde 10LPU, dat ook de oppervlakte van chips moest verkleinen. Misschien gaat het alleen om een naamswijziging. Hoe dan ook zijn de namen die chipfabrikanten aan hun nodes geven, verwarrend. Onder andere op SemiWiki zijn er pogingen om een reëel overzicht van nodes te geven op basis van de belangrijkste eigenschappen, al zijn de laatste aankondigingen hier nog niet in verwerkt.
Samsung belooft meer details over 8LPP te geven tijdens zijn Foundry Forum, dat op woensdag in München plaatsvindt. Daar maakt het bedrijf ook meer bekend over de 7nm-node, waarvoor Samsung euv-chipmachines gaat inzetten. Intel en GlobalFoundries gaan op hun beurt in december meer details bekendmaken over hun respectievelijke 10nm- en 7nm-procedé's, tijdens de International Electron Devices Meeting. Dat schrijft EETimes.