Het is Japanse onderzoekers gelukt om twee verschillende soorten halfgeleiders aan elkaar te koppelen. Ze wisten de incompatibiliteit tussen de halfgeleiders te overwinnen, wat de weg naar goedkopere optische componenten vrijmaakt.
Medewerkers van de Japanse Toyohashi University of Technology zijn erin geslaagd halfgeleiders uit de zogeheten III-V-groep te koppelen aan silicium substraten. Voorheen was dit moeilijk, omdat de kristallijne structuur van de twee typen halfgeleiders niet overeenkwam. De afstanden en hoeken tussen de atomen lopen uiteen, waardoor de twee materialen elkaar min of meer afstoten en niet met elkaar op hetzelfde substraat ondergebracht kunnen worden.
De Japanners zeggen dit probleem te hebben opgelost door een tussenlaag op het substraat aan te brengen. Een dun laagje galliumfosfide tussen het silicium substraat en de III-V-structuren moet een gemeenschappelijke ondergrond vormen voor zowel silicium structuren als III-V-structuren. Op die manier wisten de onderzoekers op hetzelfde substraat componenten voor zogenoemde silicon photonics als mosfets te produceren.
Daarmee zouden optische componenten, zoals lasers of leds, op dezelfde chip als rekencomponenten kunnen worden ondergebracht. Dat kan leiden tot goedkopere en eenvoudiger te produceren optische componenten, die bovendien sneller schakelen, omdat de overgang van optisch naar silicium in de chip plaatsvindt.
