Bij LostCircuits is een interview verschenen met Jeff Lewis van Innovative Silicon Inc, het bedrijf achter de ‘Z-ram’-technologie. Traditioneel wordt geheugen opgebouwd uit zes transistors (SRAM) of één transistor en één condensator (DRAM). Innovative Silicon heeft een derde variant ontwikkeld waarbij voor elke geheugencel slechts één transistor nodig is, een condensator is overbodig. Hierdoor kan een tweemaal zo hoge geheugendichtheid gehaald worden ten opzichte van DRAM. Het weglaten van de condensator wordt mogelijk gemaakt door het slim toepassen van eigenschappen van het 'silicon on insulator'-procédé.
Door het gebruik van SOI zijn transistors geïsoleerd waardoor er geen lading weg kan stromen van de transistor wanneer deze open staat. Oorspronkelijk een probleem bij de eerste SOI-ontwerpen omdat de lading die in de transistor is opgeslagen kan interfereren met andere signalen, maar ook toepasbaar om gegevens mee op te slaan. In het interview wordt dieper ingegaan op de werking en de ontwikkeling van Z-ram. We zullen ongetwijfeld in de toekomst nog meer horen over deze technologie aangezien AMD begin dit jaar al een licentie op de technologie heeft genomen.
