Intel en Corning hebben bekendgemaakt samen te gaan werken aan het ontwikkelen van fotomaskers voor Extreme Ultraviolet (EUV) lithografie. Met behulp van de huidige technieken waarbij licht met een 193nm golflengte wordt gebruikt kunnen transistors met een minimaal formaat van 50nm gemaakt worden. Met EUV lithografie zal de stap naar 32nm en kleiner gemaakt kunnen worden. Bij EUV lithografie wordt namelijk gebruik gemaakt van extreem ultraviolet licht met een golflengte van slecht 13,5nm.
De grootste uitdaging die Intel en Corning moeten oplossen voor de productie van de fotomaskers is het in de hand houden van het uitzetten van de maskers wanneer ze opwarmen. Wanneer het masker verlicht wordt mag het slechts 1,5nm uitzetten bij een temperatuurstijging van 10° Celsius. Verwacht wordt dat de eerste chips die gefabriceerd zijn met behulp van EUV lithografie in 2009 op de markt zullen verschijnen.