Bronnen dichtbij Samsung hebben gemeld dat het eind van dit jaar gaat beginnen met de grootschalige productie van DDR2-geheugen. Het nieuwswaardige hiervan is dat het geheugen op 90nm zal worden gebakken. Samsung zal volgens de bronnen in eerste instantie het 90nm-procédé gaan toepassen op 512Mbit DDR2 400-, 533- en 667-chips. De overstap naar dit proces is van groot belang voor de geheugenbakkers om winstgevend te blijven, zeker nu DRAM ongeveer tien procent van totale chipomzet van vorig jaar vertegenwoordigd.
Het Koreaanse bedrijf heeft niet gereageerd op vragen omtrent de overstap, maar jongstleden 16 juli heeft het bedrijf wel aangegeven dat er is begonnen met de productie op 90nm. Er wordt verder verwacht dat dit kwartaal drie procent op 90nm is geproduceerd en het komende kwartaal dit getal zal zijn gestegen naar vijf procent van het aantal geheugenwafers. Samsung heeft echter niet specifiek gezegd dat het 90nm-procédé voor DDR2 zal worden gebruikt.
:strip_icc():strip_exif()/u/83337/countess6-nice.jpg?f=community){kind=small}