X-Bit Labs meldt dat Samsung als eerste een twee Gigabit DDR2-chip heeft gepresenteerd. De SDRAM-chip is geproduceerd op 80nm, iets waarmee het bedrijf de concurrentie het nakijken geeft, aangezien de algemene opvatting was dat 65nm-techniek nodig was om een dergelijke geheugendichtheid te realiseren. De geheugenmodules zullen, weinig verrassend, met name gebruikt gaan worden in werkstations waarop geheugenintensieve applicaties draaien, zoals videoconferentie, medische toepassingen en 3D-programma's.
De nieuwe DRAM-techniek maakt gebruik van recess channel array transistor (RCAT). Deze techniek van Samsung voorziet in een 3D-layout voor de transistors waardoor er op een bepaalde oppervlakte meer transistors passen dan met andere technieken mogelijk zou zijn. Om de snelheidseisen van DDR2 te kunnen halen heeft Samsung voor de 2Gb DDR2-chip nog allerlei geavanceerde technieken gebruikt zoals double poly gate technology, 20-angstrom level ultra thin oxide film process, en een triple-layer metal circuitry. Dankzij de 80nm-techniek is het echter toch mogelijk om de time-to-market relatief kort te kunnen houden. Het bedrijf verwacht dan ook met de massaproductie van deze chips te kunnen beginnen in de tweede helft van 2005.