Samsung plant 2GHz GDDR3-geheugen eind 2004

Tegen het einde van dit jaar heeft Samsung de 2GHz-versie van GDD3-geheugen gepland voor productie, zo laat X-bit Labs weten. De 256Mb-chips zijn geclockt op een snelheid van 500, 600, 700 en 800MHz, met een datadoorvoer van respectievelijk 1000, 1200, 1400 en 1600MB per seconde per pin. Om dergelijke hoge snelheden mogelijk te maken zal Samsung enkele technieken toepassen die voor DDR2 en GDDR2 zijn ontwikkeld. Die technieken zijn onder andere On-Die Termination (ODT), Calibrated output drive, Output Driver Strength adjustment door EMRS en Pseudo Open drain compatible inputs/outputs. De GDD3-chips zullen voor 256 en 512MB videokaarten van zowel nVidia als ATi gebruikt worden, en zullen ook hun weg naar notebooks vinden. De chips hebben in tegenstelling tot huidige DDR-chips die op 1,5v of 1,6v lopen, 1,9v nodig.

Reacties (16)

[xback]

Er is nog altijd een duidelijk verschil tussen een actief (nuttig) en een passief(vb warmte) vermogen


Vermogen = Spanning x Stroom
Warmte (Joulle Effect) = Stroom² x Weerstand


We weten enkel de spanning Geen weerstand, hoe kunnen we dan de stroom en het vermogen weten ?

[Countess]

bij chips is er dus (zo goed als) geen verschil tussen nutting en passief vermogen.
de uitkomst van een rekensom is namelijk geen energievorm, en behalve de signaal stroom die een chip weer uit zend word alle energie die erin word gestopt omgezet in warmte.

verder zal de weerstand van deze modules waarschijnlijk het zelfde zijn als die van de ŽoudeŽ gddr3 modules even als het amperage wat ze gebruiken. wat dus betekend meer warmte.
niet dat deze modules zo heet werden, dus zoŽn probleem zal het niet zijn

[florizla]

De verklaring is volgens mij de volgende. Je hebt stroom nodig om capaciteiten (van de geleiders, van het PCB, ...) te overwinnen. Als je nu op 2 GHz gaat werken moet je dat niet alleen 2 miljard keer per seconde doen, maar je moet het ook zo doen dat de capciteiten binnen (1/2miljard) seconden overwonnen zijn. Het moet in een kortere tijd gebeuren dus je hebt meer stroom nodig.

Het is net omdat ze meer stroom nodig hebben, dat ze de spanning verhogen (U=IxR).
Dus stroom stijgt, spanning stijgt, opgenomen vermogen stijgt.

[PuzzleSolver]

its leadership position in future Samsung Electronics is to unveil GDDR3 products at speeds of about 2.0GHz (1.0GHz physical speed)

Lekker vaag artikel ook de bron meld weinig feiten over 2Ghz. Verder gaat het alleen over de bandbreedte en niet de snelheid. 2Ghz houdt in 2 miljard cycles per seconde en daar heeft dit niets mee te maken. Wat Samsung dus bedoeld is dat ze eind dit jaar 2Gbit/sec per (bit)pin willen halen op een klok van 1Ghz. Ik vind deze verhalen veel te verwarrend en misleidend en dit hele artikel is weer een stuk reclame zonder echte feiten.

[Wisja]

Lijkt me dat door het stroomverbruik de temp ook weer ophoog gaat.
Nu hebben zo toch al zo'n problemen met het coolen van videokaarten, dat zal er dan wel niet beter op gaan worden.

[Verwijderd]

het verhogen van de spanning hoeft niet persé een verhoogd stroomgebruik te impliceren hé...

als het opgenomen vermogen gelijk blijft betekend dit zelfs een stroomverlaging...
stoomverlaging = minder warmte... mss wel een goede ontwikkeling...

[inquestos]

Het verhogen van de spanning, hoeft idd niet een hoger vermogen te betekenen, maar daar mag je wel vanuit gaan. En al het vermogen wat er in gaat, gaat er ook weer uit, in de vorm van warmte...

Wordt de laatste tijd wel steeds erger met het stroomverbruik van computers. Leek het eerst de goede kant uit te gaan met tft's (die inmiddels door intensiteit en opp. ook al 2 maal zoveel gebruiken), komen nu de energie-slurpende processoren en videokaarten aan, en straks ook al het geheugen..

[knirfie244]

Je haalt ook nog wat door de war, warmte komt voort uit vermogen, niet stroom.

Voor de rest kan ik niet wachten tot ik zulke chipjes op mn videokaart heb zitten

[Verwijderd]

Idd, U*I=P, spanning x stroom = vermogen (= warmte)
Dit is ook het probleem met de prescott: de spanning gaat wel omlaag, maar doordat er grotere lekstromen zijn vanwege het 90 nano proces wordt het vermogen toch hoger als dat van de northwood.

[Sten Vollebregt]

Dit hoeft niet... warmte ontwikkeling en stroomverlaging hangen af van veel meer factoren.

Stel je verhoogt U, maar de weerstand R blijft gelijk. Als we dan even aannemen dat we een lineaire niet affiene afhankelijkheid hebben vertelt de Wet van Ohm dat U/I=R=constant, als U groter wordt moet I dus ook groter worden om R constant te houden. Volgens P=UI betekent dat meer vermogen.
Verder betekent een lagere stroom niet altijd minder warmte verliezen. Men gaat vaak uit van de formule I^2xR, maar een andere formule voor warmteverlies is V^2/R.

En dan hebben we het niet eens over lekstromen... ga er dus maar van uit dat dit geheugen meer energie verstookt dan hetzelfde type op 1.6V

[Oceria]

Volgens mij is het temperatuursprobleem voornamelijk een van de GPU en niet van het geheugen. Dat kan nog steeds passief gekoeld worden terwijl -voornamelijk- Nvidia enorme koelers nodig heeft om de GPU temperatuur onder controle te houden.
Het hogere voltage lijkt mij eerder een probleem geven met de stroom toevoer. Vooral de laatste reference kaart van Nvidia geeft aan dat men moeite heeft om aan de stroomvraag te voldoen, waardoor men zelfs twee extra toevoer punten heeft aangebracht.
Hopen dus dat Samsung het voltage nog wat omlaag kan krijgen.

[Verwijderd]

dit geheugen wordt wellicht enkel in high end kaarten gebruikt en die hebben zowiezo veel energie verbruik en cooling nodig, tegen dat het ook in het mid-range segment gebruikt wordt is de warmte en stroom verbruik al een stuk omlaag hoor...

[Dekaasboer]

Alsnog, huidig geheugen loopt op 2,65v. gddr max op 1,9v

[Makkelijk]

plant eens een geheugenreepje..

[Verwijderd]

dit gaat over videogeheugen