Robert Chau, het hoofd van de afdeling van Intel die onderzoek doet naar technologie om transistors te fabriceren heeft in dit artikel over de doorbraak van de 0,02 micron transistor uitleg gegeven over de manier waarop het bedrijf hier naartoe zal werken. De mogelijkheden van de techniek lijken op dit moment onbeperkt; een chip op 20GHz die vele malen meer transistors heeft dan een Pentium 4 en toch ruim minder dan één volt spanning nodig heeft is volgens Chau een realistische voorspelling voor 2007. Dat is namelijk het jaar waarin deze techniek, met codenaam P1266, zal worden geïnstalleerd in de fabrieken. Op de onderstaande roadmap zien we dat er na de migratie richting 0,13 micron die op dit moment bezig is nog twee tussenstappen komen voor de techniek echt gebruikt kan worden:
If it is possible to design, test and manufacture such high-density and large-scale LSIs, this process technology would allow IC makers to commercialize LSIs with 1 billion transistors. A simple calculation shows the density, which would be equal to 25 Pentium 4 chips integrated into one LSI.
Operation tests of the newly developed n-channel MOS transistors were done under drain voltage, which corresponds to a power supply voltage, of 0.75V, and gate threshold voltage, which shows the voltage point where the drain-current takes off, turn out to be 0.2 to 0.25V. According to Chau's announcement, the "short-channel-effect," in which the gate threshold voltage level changes largely depending on the gate length dispersion, has not been detected.
|