Samsung heeft 256Mbit-sram gereed die op 7nm geproduceerd is met euv-technologie. De werkende chip heeft volgens Samsung zelf zijn vertrouwen in euv als opvolger van immersielithografie vergroot.
Samsung gebruikte euv bij vier van de zes lagen bij het gevalideerde ontwerp van het sram. Het bedrijf maakte de vorderingen bekend bij de International Solid-State Circuits Conference, die tot 15 februari in San Francisco plaatsvindt. In november van vorig jaar maakte Samsung al bekend dat een yield van tachtig procent voor de euv-productie van 256Mbit-sram te behalen.
Ten opzichte van toen is niet alleen de correcte werking gevalideerd, maar ook de omvang van de bitcell verkleind, van 0,027 naar 0,026µm², schrijft het Duitse All Electronics. Het gaat om het oppervlak van een 6T sram-cell, bestaande uit zes transistors. De caches van processors bestaan uit dit statische ram. Of Samsung de chips ook al in massaproductie kan maken wilde het bedrijf niet zeggen. "Om echt, werkend silicium te hebben, nam onze zorgen weg", is het enige wat een medewerker erover tegen EETimes zei.
Vooral Samsung en GlobalFoundries zetten in op een snelle introductie van euv. De fabrikanten willen op euv overstappen om rendabel kleinere structuren op het silicium aan te kunnen brengen. De inzet van de huidige 193nm-immersielithografie wordt vanaf 7nm te duur en tijdrovend. Intel en TSMC zijn voorzichtiger en denken dat het nog jaren duurt voor de euv-techniek voor massaproductie in te zetten is. Intel neemt daarbij een achterstand bij de verkleining van chipfeatures voor lief. Tijdens ISSCC maakte Intel bekend sram-bitcellen met een omvang van 0,0312µm² en 0,0367µm² op 10nm gemaakt te hebben.