Nieuws over Non-volatile geheugen uit 2011
Verfijn resultaten
/i/1274343371.png?f=fpa)
|
Samsung verhoogt levensduur reram 07-'11 - Onderzoekers van Samsung hebben de levensduur verbeterd van resistief random access memory, een relatief nieuw type niet-vluchtig geheugen. Het aantal lees- en schrijfcycli zou zijn… | |
:strip_exif()/i/1286274802.jpeg?f=fpa)
|
IBM meldt doorbraak in ontwikkeling phase-change-geheugen 06-'11 - IBM-onderzoekers in het Zwitserse Zürich hebben een nieuw type geheugen verbeterd dat in de nabije toekomst moet leiden tot zeer snelle en betrouwbare opslag van data. Het geheugen is… | |
/i/1298970755.png?f=fpa)
|
Details over Intels 710- en 720-ssd's verschenen 06-'11 - Een Russische website heeft details van de nieuwste generatie zakelijke solid state drives van Intel vrijgegeven. De 710-serie en de 720-serie moeten de huidige X25-E-drives opvolgen en… | |
/i/1238418057.png?f=fpa)
|
NEC ontwikkelt spintronics-geheugen 06-'11 - Het Japanse technologiebedrijf NEC heeft samen met de Tohoku-universiteit een nieuw type geheugen ontwikkeld. Dit moet de snelheid van ram combineren met eigenschappen van… | |
|
|
Onderzoekers zetten koolstofbuizen in voor zuinig geheugen 03-'11 - Wetenschappers van de universiteit van Illinois hebben koolstof nanobuizen gebruikt voor de productie van zuinig geheugen. Hun phase change-geheugen zou dankzij de nanobuizen met minder… | |
/i/1201865680.png?f=fpa)
|
Onderzoekers werken aan veilig wissen ssd's 02-'11 - Twee onderzoekers van de universiteit van Californië in San Diego hebben de effectiviteit van wismethodes voor solid state drives onderzocht. Zij concluderen dat individuele bestanden… | |
/i/1239369170.png?f=fpa)
|
OCZ stopt met productie dram-geheugen 01-'11 - OCZ heeft tijdens de presentatie van zijn kwartaalcijfers laten weten dat het bedrijf zich volledig terugtrekt uit de geheugenmarkt. Het bedrijf gaat zich volledig concentreren op de… |