Een nieuwe halfgeleidertechnologie die aan het Georgia Institute of Technology werd ontwikkeld, zou kunnen worden ingezet in ruimtevoertuigen. De chips die met de techniek worden gemaakt zouden minder gevoelig zijn voor omgevingsfactoren.
Het project van het Georgia Institute of Technology en enkele andere universiteiten heeft ruim vijf jaar geduurd en mocht rekenen op een bijdrage van 12 miljoen dollar van de Amerikaanse ruimtevaartorganisatie NASA. Het team ontwikkelde circuits en chipverpakkingen waarmee processors kunnen worden gemaakt die bestand zijn tegen de extreme omstandigheden in de ruimte. Het team baseerde zich daarbij op bestaande siliciumgermanium-technologie van IBM, waarbij op een halve micron wordt geproduceerd. De halfgeleiders zouden onder meer de straling en temperatuurwisselingen buiten de aardse dampkring kunnen overleven.
Ruimtevoertuigen worden ontwikkeld om onder zware omstandigheden te functioneren. De elektronica moet sterk worden geïsoleerd tegen straling en moet met zeer lage en zeer hoge temperaturen kunnen omgaan. Door de chips van siliciumgermanium te maken, zijn de ontwerpen veel flexibeler en eenvoudiger te maken. Zo kunnen processors die sensordata verwerken direct aan de sensors worden gekoppeld in plaats van in een geïsoleerde ruimte te worden weggewerkt. Dat zou een reductie in bekabeling, energieverbruik en complexiteit betekenen.
De vereenvoudiging van de ontwerpen zou apparatuur als marsrovers of maanrobots lichter maken, wat bij de lancering met draagraketten uiteraard een cruciale rol speelt. Voordat de SiGe-chips echter in voertuigontwerpen kunnen worden gebruikt, moeten ze door NASA worden getest. De eerste chips zijn voor dat doel al op het ISS geplaatst om te testen hoe de halfgeleiders met de wisselende temperaturen en straling omgaan.