De EE Times bericht dat de Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) vaart zet achter de introductie van het 45nm-procédé. De eerste producten die gebaseerd zijn op dit procédé zouden in het derde kwartaal van dit jaar al uit de ovens kunnen komen rollen, een kwartaal eerder dan waarop werd gerekend. Het 45nm-procédé van TSMC biedt koperen verbindingen tussen de transistors en maakt gebruik van tweede-generatie low-k-materialen. TSMC maakt gebruik van 193nm lithografieapparatuur van ASML voor het procédé.
Het gebruik van low-k-technologie houdt in dat er tussen de metalen verbindingen tussen de transistors op een chip een materiaal wordt aangebracht met een lagere diëlektrische constante dan siliciumdioxide wat resulteert in een betere signaalintegriteit. Hoewel TSMC eerder dan gepland begint met in gebruik nemen van het 45nm-procédé heeft het bedrijf wel concessies moeten doen. Het procédé zal geen high-k-materialen bevatten en geen metalen gates. Het gebruik van high-k-materialen en metalen gates zou het weglekken van energie bij de transistors aanzienlijk moeten verminderen. TSMC verwacht deze twee technieken nu te introduceren bij de stap naar 32nm.