Nanya laat op de SemiTech-beurs, die deze week plaats vindt in Taipei, Taiwan, een 1GB DDR3-geheugenmodule zien. Deze module is ongebufferd en voorzien van zestien DDR3-geheugenchips die met behulp van een 90nm-proces zijn gefabriceerd. De chips zijn 512Mbit groot en hebben een effectieve snelheid van 1066MHz. Hiermee zou de geheugenmodule een bandbreedte van 8,5GB/s moeten kunnen leveren (PC3-8500/DDR3-1066). Daarnaast zou Nanya ook DDR3-800- en DDR3-1600-geheugenchips op de roadmap hebben staan. Al deze chips werken op 1,5V, hebben een interne temperatuursensor en een CAS-latentie van tussen de 5 en 10 kloktikken.
Samples van de DDR3-geheugenchips zullen binnenkort door Nanya aan hun klanten verstuurd worden. Dit zijn chips die door klanten gebruikt kunnen worden om hun geheugenmodules uitgebreid te testen. Nanya verwacht dat de eerste computers die gebruik maken van DDR3-geheugen in 2008 op de markt zullen verschijnen. Dit wordt bevestigd door eerdere berichten van AMD dat verwacht eind 2007 over te stappen op DDR3-geheugen en Intel die dit in de tweede helft van 2007 heeft gepland. Tegen die tijd wil Nanya dan ook met de massaproductie gaan beginnen. Hiervoor zal de geheugenchipfabrikant overstappen op een 70nm-proces.