Wetenschappers van het Argonne National Laboratory in Illinois hebben een eerder aangenomen theorie over het ferro-elektrisch effect van kristallen verworpen, zo lezen we op New Scientist. Ferro-elektriciteit wordt vertoond door perovskite-kristallen, waarin de voordeligste ionpositie zorgt voor het ontstaan van dipoolmoleculen. Geheugen gebaseerd op ferro-elektriciteit bestaat uit een aantal dunne lagen kristal en slaat data op door middel van het omgooien van de dipool door er een elektrisch veld op te zetten. De dipool slaat dan om, doordat de positie van de ionen in de moleculen veranderen onder invloed van het geladen veld. Het team van Brian Stephenson heeft echter aangetoond dat er geen vaste grens is aan de grootte van de kristallen om dit effect te kunnen vertonen.
Eerder werd gedacht dat een minimumdikte van vier nanometer nodig was om de verschuiving van ionpositie te kunnen laten plaatsvinden. Vroeger dacht men dat een ferro-elektrisch effect onmogelijk was in dunnere lagen, omdat er een depolariserend veld ontstond door het ophopen van overtollige lading in de elektroden. Volgens Stephenson werden de negatieve resultaten niet veroorzaakt door een depolariserend veld, maar door imperfecte kristallen.
Hijzelf gebruikte kristallen zonder defecten, die hij tijdens de groei bekeek in een röntgensynchrotron. Het ferro-elektrisch effect wordt gebruikt in het zogenaamde Fe-RAM, dat tot nu toe alleen gebruikt kon worden voor opslagmedia met een lage geheugendichtheid, zoals smartcards. Door de ontdekking dat de kristallen wel kleiner kunnen zijn dan vier nanometer kan deze geheugendichtheid vergroot worden met een factor honderd, aldus Stephenson. Het Fe-RAM zou dan meer opslagcapaciteit hebben en een goed alternatief zijn voor de huidige RAM-systemen. Het energieverbruik ligt lager dan dat van gewoon RAM, omdat de data niet verloren gaat wanneer de spanning uitgeschakeld wordt. Ook de snelheid is een bijkomend voordeel: Fe-RAM is sneller dan het nu veel gebruikte flashgeheugen.