IBM heeft een nieuwe techniek uitgevonden om simpele schakelingen snel en goedkoop te kunnen produceren. Deze techniek is gebaseerd op dezelfde techniek om TFT-schermen te maken. Hierbij wordt een dunne film halfgeleidermateriaal op een drager aangebracht, waarin transistors kunnen worden geëtst. Vandaar de naam TFT die staat voor Thin-Film-Transistor. In het geval van een TFT-scherm wordt een dunne laag silicium op een glazen plaat aangebracht, maar het procédé van IBM werkt compleet anders.
IBM heeft het namelijk voor elkaar gekregen om een halfgeleider met dezelfde eigenschappen als silicium op te lossen in een vloeistof. Deze halfgeleider is een verbinding tussen een metaal en een element uit de chalcogenide-groep (zuurstof, zwavel, selenium en tellurium). De vloeistof is hydrazine, een vloeistof die ook als raketbrandstof wordt gebruikt. Door een druppel van het mengsel op een draaiende schijf aan te brengen, ontstaat er een dunne laag van dit materiaal op de schijf. Met behulp van hitte kan hierna de raketbrandstof worden verdampt en hierdoor blijft een dun laagje materiaal over waarin halfgeleiderschakkelingen kunnen worden gemaakt.
Deze techniek is niet geheel nieuw, maar waar IBM is in geslaagd is in het vinden van de juiste materialen. Hierdoor heeft de uiteindelijke dunne film van haflgeleidermateriaal bijna dezelfde eigenschappen als silicium, waardoor de gemaakte transistors tot tien keer sneller kunnen schakelen ten opzichte van de huidige methoden. Deze techniek kan hierdoor worden gebruikt om heel goedkoop kleine simpele chips te produceren zoals bijvoorbeeld RFID-chips of chips voor smartcards. Ook zou met behulp van deze techniek TFT-schermen kunnen worden gemaakt op een groot aantal doorzichtige oppervlakten. De mogelijkheden zijn dus enorm.