Ten eerste:
voltage spanning en
amperage stroomsterkte.
Dan inhoudelijk, als iemand die een wo-master EE heeft en afgestudeerd is op het gebruik van GaN eHEMT's:
De hoge band-gap op zich resulteert er vooral in dat GaN tot hogere temperatuur kan werken (dan zeg Si).
De maximum werkspanning van GaN is voornamelijk juist lager dan bijvoorbeeld de veelgebruikte SiC MOSFET.
Echter is de opbouw en werking van een GaN HEMT totaal anders dan een (MOS)FET. In een HEMT vormt een zogenaamde 2DEG, een "two dimensional electron gas", op de grens tussen twee verschillende materialen met een verschillende band-gap (een "heterojunction", bijv GaN met AlGaN). Deze structuur resulteert in veel hogere elektronenmobiliteit (het is tenslotte een
high electron mobility transistor (HEMT)) waardoor de maximum werkbare schakelsnelheid van een GaN HEMT hoger ligt dan een Si of SiC MOSFET. Dit vat een heel vakgebied in drie zinnen samen, maar het is een ontzettend high-level samenvatting.
De winst in efficiëntie van GaN in een converter komt veelal dus niet door een hogere spanning, maar door een hogere schakelfrequentie. Spoelen kunnen kleiner, je hebt minder capaciteit nodig, dus je vermogensdichtheid stijgt. Denk aan GaN-laders van 60 W in het formaat van een 'ouderwets' 12 W blokje.
Er is nog veel onbekend over de levensduur op lange termijn van GaN, aangezien onderzoek naar o.a. breakdown in GaN nog gaande is. Een kortsluiting stoppen in een GaN HEMT is ook een totaal ander principe dan in een MOSFET.
GaN is niet "beter" dan SiC. Dat is alsof je zegt dat een fiets beter is dan een kano. Het zijn twee verschillende technieken. Vooral in bijvoorbeeld RF, telecom en fotonica vindt GaN z'n plek. 100 kW converters om een auto te laden? Da's voor nu het domein van SiC.
[Reactie gewijzigd door bastiaan_ op 13 september 2024 17:45]