Op Electronic Buyers' News is te lezen dat eind volgend jaar waarschijnlijk de eerste modules RLDRAM op de markt zullen verschijnen. Dit nieuwe geheugen type, wat wordt ontwikkeld door Micron Technology en Infineon Technologies AG, beschikt over een bijzonder lage latency (RL staat voor Reduced Latency) wat het mogelijk maakt om het geheugen zeer snel te benaderen.
Infineon en Micron verwachten de eerste samples van dit geheugentype in het 2e kwartaal van 2002 gereed te hebben, waarna de uiteindelijke productie in het 4e kwartaal van datzelfde jaar moet beginnen. RLDRAM zal voornamelijk toegepast worden in moderne netwerk en communicatie apparatuur die werken op hoge snelheid (tot 10Gbit). Micron en Infineon zullen voor het gebruik van dit geheugen geen licentiekosten vragen, zoals bij Rambus bijvoorbeeld het geval is. De eerste modules zullen werken op een snelheden van 200, 250 en 300MHz (400 tot 600MHz DDR):
BOISE, Ida. -- The new Reduced Latency DRAM for networks and communications will launch production late next year, beginning a long life cycle through 10-gigabit/sec and OC-765 optical generation systems, according to a just-released roadmap.
[...] The RLDRAM developers tout the new application-specific chip as a very fast read-write memory for networks and switches that need rapid lookup and execution of a vast arrays of addresses in data packets. "This eliminates delays of traditional DRAMs which insert timing stages in the data path. The RLDRAM architecture and interfaces operate more like SRAMs, but is considerably less expensive," the Micron official claimed.
Met dank aan Paradiddle voor de tip.