Onderzoekers van de University of Wisconsin-Madison in de VS hebben een manier ontwikkeld om vrijwel alle onzuiverheden uit transistors met koolstofnanobuisjes te halen, waardoor een hogere elektrische ruimtestroomdichtheid haalbaar is dan in silicium- of galliumarsenidetransistors.
Met hun nieuwe techniek wisten de onderzoekers wafers van rond de 2,5 bij 2,5 centimeter groot te produceren. Een van de problemen rond het produceren van transistors van koolstofnanobuisjes, al lange tijd een kandidaat om silicium te vervangen, betreft de onzuiverheden die voorkomen in de vorm van verontreiniging met metallische nanodeeltjes die kunnen zorgen voor 'kortsluiting' tussen de koolstofnanobuisjes.
Ook is het belangrijk de koolstofnanobuisjes goed te positioneren met de juiste hoeveelheid ruimte ertussen en na vormingsprocedé het overgebleven oplosmiddel te verwijderen zonder de ligging te wijzigen. De onderzoekers wisten het polymeer dat gebruikt wordt om de halfgeleidende nanobuisjes van elkaar te isoleren, te verwijderen door de wafers te 'bakken' in een vacuüm oven. Hierdoor verkregen de onderzoekers goede geleiding tussen de nanobuisjes en elektrodes.
Het eindresultaat was dat de transistors van de onderzoekers nog slechts 0,01 procent metallische vervuiling in zich hadden. De transistor kon een elektrische ruimtestroomdichtheid halen die 1,9 keer zo hoog was als die van de 'beste siliciumtransistors van vandaag de dag' bij een vergelijkbare lading, schrijven de onderzoekers in hun artikel.