Samsung is de massaproductie van embedded geheugen op basis van de ufs 2.0-standaard gestart met een opslagcapaciteit van 256GB. Dit is dubbel zoveel als het ufs-geheugen van vorig jaar en het is ook een stuk sneller.
Het embedded 256GB-geheugen voor high-end smartphones en tablets presteert bij willekeurige lees- en schrijfacties respectievelijk 45.000 en 40.000 iops. Een jaar geleden kondigde Samsung 128GB-geheugen op basis van de ufs-standaard aan dat 19.000 en 14.000 iops neerzette bij dergelijke lees- en schrijfwerkzaamheden. Onder andere voor de Galaxy S6 zette Samsung dat geheugen toen in en inmiddels maken veel meer fabrikanten van ufs-geheugen gebruik voor hun high-end smartphones.
Wat betreft sequentieel lezen zou de snelheid op 850MB/s liggen en sequentieel schrijven zou het geheugen op 260MB/s kunnen doen. Het opslaggeheugen is opgetrokken rond Samsungs v-nand-chips en neemt minder ruimte in dan een externe micro-sdkaart, claimt het bedrijf.
Volgens Samsung maakt het geheugen het bijvoorbeeld mogelijk een 4k-film op een scherm te tonen en tegelijk te zoeken naar afbeeldingen of video's te downloaden. Wanneer de eerste mobiele apparaten met het geheugen op de markt verschijnen is niet bekend.