Intel en Micron, die als partners de joint-venture IMFT vormen, hebben nand flash-geheugen aangekondigd van 128Gb groot, oftewel 16GB. Het geheugen wordt op 20nm geproduceerd, maakt hogere snelheden mogelijk en is in theorie goedkoper.
Intel en Micron produceerden al eerder 20nm mlc nand flash-geheugen, maar dan met een grootte van 64Gb per chip. De nieuwe chips zijn met 128Gb twee keer zo groot en dat werd mogelijk gemaakt door een nieuwe cel-architectuur waarbij de zogeheten 'floating gate' dunner werd. Er wordt ook gebruikgemaakt van de high-K+-techniek, waardoor het uithoudingsvermogen van de geheugenchips hetzelfde blijft als bij 25nm-chips. Zo moeten ze 3000-5000 schrijfcycli kunnen doorstaan.
Opvallend is dat de pagesize van het geheugen vergroot werd naar 16KB. Dat heeft onder andere tot gevolg dat de huidige ssd-controllers nieuwe firmware nodig hebben om met het geheugen overweg te kunnen. Ook de ONFi-interface werd vernieuwd, van versie 2,x naar 3, wat meer bandbreedte met zich meebrengt. Die is nu maximaal 333MT/s, terwijl het huidige 25nm-geheugen van IMFT het met 166MT/s moet stellen. Dat zal onder andere zijn weerslag hebben op de leessnelheden van ssd's, die nog hoger kunnen worden.
Een ander voordeel van de grote chips is prijs. Uit een enkele wafer kunnen meer chips gehaald worden, waardoor het uiteindelijk goedkoper wordt om de chips te produceren. Ook kan er op minder oppervlak meer geheugen geplaatst worden. De ssd's die onder andere Apple in zijn MacBook Air's gebruikt kunnen dan ook wat betreft opslagruimte toenemen. De massaproductie van 128Gb-flashchips gaat pas in het tweede kwartaal van 2012 van start. Het moment dat de eerste ssd's met dergelijke chips opduiken zal dan ook nog zeker enige tijd op zich laten wachten.

http://www.lsi.t.u-tokyo.ac.jp/image/K.Takeuchi_SSDM2010.pdfThis paper overviews Ferroelectric (Fe-) NAND flash
memory and Ferroelectric 6T-SRAM. The 86% power reduction
in Fe-NAND increases the number of NAND chips
written in parallel in SSD by 6.9 times and enhances the
SSD performance up to 9.5GByte/sec. A high write/erase
endurance, 100Million cycle is also realized.
http://www.aist.go.jp/ais...08/20080624/20080624.html- More than 100 million program/erase cycles at less than 6 volts -
[Reactie gewijzigd door totaalgeenhard op woensdag 7 december 2011 23:47]
Op dit item kan niet meer gereageerd worden.
Populair: Samsung Websites en communities Mobiele telefoons Laptops Sony Games Microsoft Politiek en recht Consoles Microsoft Xbox One
© 1998 - 2013 Tweakers.net B.V. Contact Over Tweakers Jouw privacy Algemene voorwaarden Cookies
Tweakers wordt uitgegeven door De Persgroep en wordt gehost door True