Samsung heeft naar eigen zeggen een doorbraak in led-technologie gerealiseerd waardoor zeer grote leds op basis van eenvoudig en goedkoop glassubstraat zijn te produceren. Momenteel wordt hiervoor saffierglas als substraat gebruikt.
De onderzoekers van het Samsung Advanced Institute of Technology, kortweg SAIT, zijn erin geslaagd om een monokristallijne galliumnitridelaag te laten groeien op een substraat van normaal glas in plaats van saffierglas. Dit maakt het volgens de onderzoekers mogelijk om zeer grote leds te produceren, zo is te lezen bij de Korean Herald.
De grootste GaN-leds die momenteel te koop zijn, hebben afmetingen van ongeveer vijf centimeter, vanwege de beperkte afmetingen van de saffierwafers. Met de nieuwe technologie wordt het echter mogelijk om dergelijke leds tot vierhonderd keer zo groot te produceren. De verwachting is dat dit de productiekosten van leds drastisch zal doen afnemen. De helderheid van de nieuwe GaN-leds bedraagt 600cd/m².
Samsung gaat de nieuwe GaN-leds gebruiken voor verlichtingsdoeleinden en voor 'geavanceerde displays'. Zo kunnen ramen in gebouwen straks dienen als verlichtingsbron of als display, aldus een van de onderzoekers. Samsung verwacht er tien jaar over te doen voordat de technologie productierijp is. De resultaten van het onderzoek van SAIT zijn gepubliceerd op Nature Photonics.
Overigens lijkt het erop dat Samsung niet de eerste is die het gelukt is om GaN-leds op basis van eenvoudige glassubstraten te produceren. In januari 2009 kondigden onderzoekers van de University of Cambridge eenzelfde doorbraak in led-technologie aan.