Fujitsu heeft een nieuw transistortype gepresenteerd. De component combineert drie veelgevraagde eigenschappen: een hoog uitgangsvermogen, een groot frequentiebereik en een laag verbruik tijdens standby.
Onderzoekers van het Japanse Fujitsu hebben een nieuw type vermogenstransistor ontwikkeld dat onder meer als versterker in draadloze communicatie-apparatuur ingezet kan worden. De transistor is in staat ruim 100W te leveren en zou in hoogfrequente millimeter- en microgolf-zenders gebruikt kunnen worden. Bovendien heeft de transistor geen negatieve spanning nodig om te worden uitgeschakeld. Bestaande, vergelijkbare transistors hebben een negatieve spanning op de gate nodig om de halfgeleider uit te schakelen.
Fujitsu claimt met zijn galliumnitride-transistor de eerste te zijn die erin geslaagd is een uitgangsvermogen van meer dan 100W te combineren met eenvoudige uitschakelbaarheid. De nieuwe hem-transistor zou door de innovatie zuiniger zijn, mede dankzij een eenvoudiger constructie van de beheerlogica.
De onderzoekers maakten de transistor geschikt voor hoge outputs door een laagje aluminiumnitride op de n-laag van het galliumnitride aan te brengen, waardoor de dichtheid van de elektronen daarin toeneemt. Door dit laagje AlN te verwijderen bij de gate-elektrode, neemt de elektronendichtheid daar lokaal sterk af, zodat er ook zonder negatieve spanning geen stroom kan lopen.

Door ten slotte een laagje GaN op het AlN aan te brengen, werd het oppervlak van de transistor gladder, waardoor de output kan stijgen en de halfgeleider betrouwbaarder werkt. De resulterende drie lagen zouden het zogenoemde breakdown-voltage, de spanning waarboven de transistor doorbrandt, verhogen tot boven de 300V. Door dergelijke hoge spanningen te gebruiken, kan de output van de transistors tot boven 100W stijgen.
De nieuwe transistors kunnen volgens Fujitsu het gebruik van millimeter- en microgolfbanden voor draadloze communicatie stimuleren. Momenteel wordt voor data-overdracht gebruikgemaakt van de lage gigahertz-band tot zo'n 5GHz, maar frequenties boven de 30GHz zouden onder meer betere directionaliteit bieden. De benodigde versterkers waren tot op heden echter niet zuinig genoeg om een brede inzet van dit hoge frequentiebereik te rechtvaardigen. Fujitsu verwacht daar met zijn vinding verandering in te brengen en hoopt de transistors tegen 2010 in draadloze communicatieapparatuur in te zetten.
