euh...
in het geval van MirrorBit bestaat 1 bit geheugen uit een halve transistor, dus zeker geen schakeling van meerdere poorten!!!
De termen NAND en NOR betekenen niet dat een Flash geheugencel (één transistor met ofwel een vlottende poort (floating gate) ofwel een ladingsvangstlaag (trapping layer, meestal siliciumnitride) in) uit verschillende transistoren als logische poort opgebouwd is, maar beschrijven hoe de verschillende geheugencellen samengezet zijn.
(zie bijvoorbeeld
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/FlashNews/FlashStr ucture.htm )
Het grootste voordeel van NOR is de veel snellere leestoegang (bijvoorbeeld 60ns ipv 25us) en schrijfsnelheid (bv. 8us ipv 200us) zodat NOR geheugen noodzakelijk is voor bv. opslag van de programmatuur van een GSM.
Het grootste voordeel van NAND is de kleine grootte van de geheugencellen en dus de lage kost. NAND is veel trager, maar door een volledige pagina (bv 2112*8 bits) ineens te lezen of te schrijven kan een redelijke transfertsnelheid (maar geen snelle willekeurige toegang) verkregen worden.
Er zijn nog andere verschillen maar die hebben al even veel met de toepassing te maken: meestal is de specificatie van een NOR cell voor minder schrijf/wis cycli dan NAND. Voor NAND is de specificatie wel dat 98% van de geheugenblokken nog moet werken (een verloren bitje in een foto ofzo is niet erg; anders moet er ECC gebruikt worden wat ook leestijd kost) terwijl voor NOR de specificatie is dat er niet 1 bit mag falen over de levensduur (dit is omdat NOR meestal gebruikt wordt om programmas op te slaan, 1 bitje verkeerd in een programma kan een ramp betekenen en ECC kost aan random access time)
Mirrorbit is sowieso een NOR geheugen maar met zeer kleine cellen (en vooral ook: 2 bits/cel) zodat het qua celgrootte (en dus kost) eerder met NAND dan met andere NOR te verglijken is. Wat dus nodig is om de andere voordelen van NAND te verkrijgen is voldoende zuinig programmeren en wissen zodat een volledige pagina tegelijk geprogrammeerd kan worden en 100.000 of 1.000.000 schrijf/wis cycli halen zonder retentieproblemen (wat met een nitridegeheugen zoals mirrorbit zeker NIET vanzelfsprekend is)