SK hynix is begonnen met de massaproductie van zijn 321-laagse nandgeheugen. De fabrikant produceert drie stapels nand bovenop elkaar om tot dat aantal lagen te komen. Het geheel komt met 1Tbit-capaciteit.
Het 321-laagse nandgeheugen volgt op de variant met 238 lagen. De nieuwe versie maakt hogere capaciteiten per chip mogelijk, zodat 1Tbit-capaciteit mogelijk wordt. Als gevolg daarvan kunnen ssd's goedkoper worden, meer capaciteit krijgen of beide. Volgens SK hynix zijn de nieuwe geheugenchips ook energiezuiniger dan de vorige generatie. Bovendien zijn de datatransfersnelheid en leessnelheid verhoogd met respectievelijk twaalf en dertien procent. Naar verwachting worden de eerste chips in de eerste helft van 2025 beschikbaar voor consumenten.
Hoewel SK hynix zelf over 4d-nand spreekt, gaat het in de praktijk nog steeds om een variant op 3d-tlc. SK hynix gebruikt 4d-nand sinds 2018 als marketingterm voor geheugen met een 'charge trap flash'-ontwerp en een 'peri-under-cell'-lay-out. Bij een ctf-ontwerp worden ladingen in een insulator opgeslagen voor minder interferentie, terwijl dat traditioneel gezien in een geleider gebeurt. De puc-lay-out houdt in dat bepaalde schakelingen onder de geheugencel geplaatst worden voor een hogere productie-efficiëntie en dichtheid.