RawPeanut stuurde ons richting eeTimes.com waar te lezen is dat experts op de International Electron Devices Meeting overeengekomen zijn dat de MOS transistor, die uit het begin van de jaren 70 stamt, plaats moet maken voor de transistor met dubbele gates. De dubbele gates zijn nodig om het short-channel effect, dat optreedt wanneer de afmetingen van een transistor kleiner worden, tegen te gaan.
Het short-channel effect heeft als gevolg dat de performance van een transistor afneemt. Dit komt voor wanneer de afmetingen van de channels afnemen tot submicron lengtes. Hierdoor liggen de source en drain van de transistor zo dicht bij elkaar dat ze de transistor zelf aanschakelen. Wat de nauwkeurigheid van de transistor niet ten goede komt.
By most accounts, the move to these so-called double-gated transistors will be painful. Not only must the industry devise a way to model and fabricate these highly complex devices, it will have to do so while trying to keep the conventional MOS device from sputtering in the interim.
"As we look forward five years or so at scaling, we're running into more limitations on the materials available for silicon," said Ed Nowak, manager of logic device design for IBM. "With double-gated [transistors], there are two gates controlling the same channel to keep it under control and switch it off cleanly."