Samsung is begonnen met het ontwikkelen van smartphonegeheugen dat Lpddr5 DRAM combineert met UFS 3.1-nand flash op een enkele chippackage, de Lpddr5 uMPC. De chip verdubbelt de prestaties ten opzichte van de vorige generatie Lpddr4x UFC 2.2.
De chippackage combineert mobiele DRAM- en nand-interfaces, en kan volgens Samsung een hoge snelheid en veel opslagruimte leveren tegenover weinig stroomverbruik. Dat moet het voor meer apparaten mogelijk maken om applicaties te draaien die momenteel vooral op vlaggenschiptoestellen werken, zoals uitgebreide fotografie, grafisch intensieve mobile-gaming en augmented reality.
Samsung zegt de nieuwe multichipset bijna 50 procent verbetering levert op DRAM-prestaties, van 17GB/s naar 25GB/s, en een verdubbeling van de nand-flashprestaties. Die gaat van 1,5GB/s naar 3GB/s, ten opzichte van het voorgaande Lpddr4x UFS 2.2.
De complete package neemt ook nog eens aanzienlijk minder ruimte in, omdat de hele module maar 11,5mm bij 13mm groot is. De chipset heeft een geheugencapaciteit van 6GB tot 12GB en tussen de 128GB en 512GB opslagruimte, zodat deze zowel voor highend- als midrange-telefoons geschikt is. Samsung verwacht dat de chipset komende maand op de markt komt.