Toshiba Memory werkt aan een nieuw type 3d-nandgeheugen dat voor een veel lagere latency moet zorgen. XL-Flash zal aanvankelijk gebruikt worden voor slc-nand, maar moet op termijn ook naar mlc komen.
De latency bij het lezen bedraagt bij XL-Flash een tiende van die van tlc-geheugen, betoogde Toshiba Memory volgens AnandTech tijdens de Flash Memory Summit in Santa Clara. Met de hogere prestaties voor willekeurig lezen die dit oplevert, moet Toshiba's XL-Flash de concurrentie aangaan met Samsungs Z-Nand en Intels 3D XPoint-geheugen. De verwachting is dan ook dat Toshiba Memory zich met het nieuwe type 3d-nand vooral op enterprisetoepassingen zal richten.
XL-Flash bereikt de lagere latency door de oppervlakken met geheugencellen in meer delen op te splitsen en kortere bitlijnen te hanteren. Het geheugen is gebaseerd op Toshiba Memory's vierde generatie BiCS-technologie, wat staat voor Bit Cost Scaling, waarbij het geheugen uit 96 lagen wordt opgebouwd. Wanneer Toshiba Memory het geheugen in producten op de markt gaat brengen en wat deze dan gaan kosten, is niet bekend.