De EE Times bericht dat Samsung DDR2-chips met een capaciteit van 512Mbit heeft ontwikkelt die gebakken zijn met behulp van een 70nm procédé. Dankzij het 70nm procédé verwacht Samsung tweemaal zoveel goede chips uit een wafer te kunnen halen dan mogelijk is met het huidige 90nm procédé. Het 70nm procédé maakt onder andere gebruik van ‘metal-insulator-metal’-condensatortechniek en drie-dimensionale transistors bekend onder de naam ‘Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor (S-RACT)’. Verwacht wordt dat de eerste 70nm chips in de eerste helft van 2006 in massaproductie zullen gaan. Zowel chips met een capaciteit van 512Mbit, 1Gbit als 2Gbit zullen in productie gaan.