Onderzoekers van Philips en de Rijksuniversiteit Groningen (RUG) hebben samen met succes plastic ferroelectric field-effect transistors ontwikkeld, zo meldt de RUG. Het ferro-elektrische materiaal kan in twee verschillende standen worden gezet doormiddel een spanningspuls waardoor het gebruikt kan worden als geheugen. Dergelijke transistors zijn al eerder ontwikkeld, maar de onderzoekers van Philips en de RUG zijn er als eerste in geslaagd om een FeFET-transistor te bouwen die snel te programmeren is, de data lang bewaart en bruikbaar is bij kamertemperatuur. Tevens is het geheugen geschikt om goedkoop in grote hoeveelheden te produceren. De prestaties van het geheugen zijn niet hoog, maar het is genoeg om bijvoorbeeld te gebruiken in combinatie met technieken zoals RFID. Gegevens die opgeslagen zouden kunnen worden met behulp van het plastic geheugen zijn bijvoorbeeld de prijs van een product of de houdbaarheidsdatum.