Micron heeft op het Mobile World Congress in Barcelona de tweede generatie 64-laags 3d-nand aangekondigd voor mobiele apparaten. Er is ondersteuning voor de ufs 2.1-standaard en er komen varianten uit met een capaciteit van 256, 128 en 64GB.
Het gaat om 64-laags 3d-tlc-nandgeheugen dat volgens de fabrikant smartphonemakers in staat stelt om de volgende generatie mobiele telefoons uit te rusten met geavanceerde functionaliteiten zoals kunstmatige intelligentie en virtual reality. Daarbij is volgens Micron steeds meer behoefte aan snellere en efficiëntere toegang tot opgeslagen data.
De fabrikant meldt dat het het nieuwe nandgeheugen vijftig procent sneller is dan het 3d-tlc-nandgeheugen uit de vorige generatie. In vergelijking met dit nandgeheugen van de eerste generatie is volgens Micron de opslagdichtheid bij het nieuwe geheugen verdubbeld, terwijl het niet meer ruimte in beslag neemt.
De architectuur van het nandgeheugen van Micron zou zijn geoptimaliseerd voor mobiel gebruik, in de zin dat er sprake is van een lage latency en meer cellen zijn gestopt in dezelfde oppervlakte. Ook zou het stroomverbruik zijn geminimaliseerd door een speciaal daarvoor bestemd systeem.