Cookies op Tweakers

Tweakers maakt gebruik van cookies, onder andere om de website te analyseren, het gebruiksgemak te vergroten en advertenties te tonen. Door gebruik te maken van deze website, of door op 'Ga verder' te klikken, geef je toestemming voor het gebruik van cookies. Wil je meer informatie over cookies en hoe ze worden gebruikt, bekijk dan ons cookiebeleid.

Meer informatie

Door , , 22 reacties
Bron: Extreme Overclocking

ConZito schrijft dat Extreme Overclocking een roundup klaar heeft van 4 verschillende repen 128MB PC133 geheugen:

"Een vergelijking tussen Corsair Micro, Memory Man, Samsung en Enhanced Memory Systems waaruit blijkt dat het Corsair en het Memory Man geheugen het verst te overclocken zijn (CAS2) en bij CAS3 is het wederom Corsair en nu Samsung die als beste worden getest":

As you can see from the results, we are proud to announce that Memory Man's Mosel Vitalic PC133 DIMM & Corsair Micro's new PC133 CAS2 DIMM are the top performers, with Enhanced Memory Systems HSDRAM coming in just 4Mhz behind! If we actually had an award or official seal of approval than these three companies would definitely be worthy....

Unfortunately, not all memory modules would run at CAS2, the Samsung C75 would run at CAS2 but only at 133Mhz so I didn't include that in the graph. Also, the CAS2 modules wouldn't overclock any further when I switched them to CAS3, however the next jump from 154FSB was 160.

All of memory modules did perform past the 133Mhz spec that they were rated for, with the average being around the 141 Mhz area. Please remember that results will differ between different motherboards, memory, etc...
Moderatie-faq Wijzig weergave

Reacties (22)

Is er iemand die mij misschien kan vertellen wat dat CAS inhoud?
@r!k: CAS2 en CAS3 heeft te maken met de timing (in clockseconds) waarmee het gehuigen aangesproken wordt. CAS2 is dus sneller (kan je instellen in het BIOS), maar op hogere FSB's kan het zijn dat het zaakje instabiel wordt, en dat je de timing op CAS3 moet zetten.

* 786562 crisp
</div><div class=b4> IPV dit soort merkgeheugen, 2X zoveel aan "merk" geheugen erin te gooien is toch veel handiger? </div><div class=b1>
't gaat met dit soort geheugen erom om zover mogelijk over te kunnen klokken ;)
hoe lager de CAS, RAS & CtoR timings, hoe meer kans dat 't op idioot hoge bus-snelheden stabiel is.
Op de default bus-snelheden staan deze waarden op 2 (met 2-2-2 geheugen) en wanneer je op een hogere bus-freq. gaat draaien kun je de timings op 3-3-3 zetten, om de boel stabiel te houden.
Maar verder ben ik 't wel met je eens dat voor de gewone gebruiker 2x zoveel geheugen interessanter is...
* 786562 TD-er
Voor de tweakers die niet weten wat CAS is:
:o
1) In computer memory technology, CAS (column address strobe) is a signal sent to a dynamic random access memory (DRAM) that tells it that an associated address is a column address. A data bit in DRAM is stored in a cell located by the intersection of a column address and a row address. A RAS (row address strobe) signal is used to validate the row address.

2) In telecommunications, CAS (channel associated signaling) is signaling (for example, in a T-1 line) in which control signals, such as those for synchronizing and bounding frames, are carried in the same channel along with voice and data signals. This arrangement is an alternative to CCS (common channel signaling) in which a group of voice-and-data channels share a separate channel that is used only for control signals.

BRON: www.whatis.com :7
Tsja, als je dan ook nog uit legde wat die 2 en 3 daar mee te maken hebben...

CAS2 en of 3 geven de Latency aan van het geheugen moduletje. Deze herstel peroide maakt deel uit van de tijd die het DRAM nodig heeft voordat het weer gereed is voor een volgende transmissie.

CAS Latency 2 is daarbij sneller omdat het beschikbaar komen van de Kolom Adresseringen (die geheugen in dit geval maar als een soort matrix/spreadsheet waar je kolommen en rijen hebt waarvan elke cel een data bitje bevat (0 of 1)) sneller is.

CAS2 PC100 geheugen houdt in dat dit geheugen dus 2 nanoseconden er over doet om de adresseringen gereed te hebben voor een input. vaak is dit geheugen echter niet goed genoeg om dit met CAS2 op 133 ook te kunnen. De grap is dan ook dat het dan terug zakt naar CAS3. Sommige fabrikanten hebben hier ook staatjes van per type. het ene type blijft CAS2 vast houden tot 100 MHz (10ns), de ander kan door tot 125 MHz, en weer een ander houdt dat vol tot 133 MHz. Hoe langer het geheugen dit vol houdt, hoe beter je ermee kunt overklokken... 100MHz CAS3 zal zelden ver komen. Omdat die 3ns een onderdeel uitmaakt van de 10 ns cyclus die het geheugen draait op het moment van een bus op 100MHz.

bij een bus van 150MHz kan dit soort geheugen geen CAS3 meer bijhouden en vervalt tot CAS4.
met een totale periode van 6,6667ns kan dergelijk geheugen mede daardoor al niet optijd de informati klaar hebben voor de volgende klok puls.

Vandaag de dag, met een CAS2 PC133 module zal je een CAS latency hebben van 3 nano seconde bij 150 MHz, of zelfs 2 nano sec. Daarmee red je het helemaal.

e.e.a. is destijds ook een beetje uitgelegd middels een feature over 7ns geheugen, iets dat tentijde van schrijven nog zeer schaars was. (hou ajb rekening met de datum, e.e.a. is redelijk verouderd.)
</div><div class=b4> CAS2 PC100 geheugen houdt in dat dit geheugen dus 2 nanoseconden er over doet om de adresseringen gereed te hebben voor een input.</div><div class=b1>
Nee, CAS-2 geheugen houdt in dat dit geheugen 2 klok-tikken nodig heeft om de kolom-adressering te accepteren.
Op een bussnelheid van 100MHz is dat dus 2*10 nsec =20 *10^-9 sec.
de tijd die nodig is voor een partij data uit een bank te krijgen is bij 2-2-2 geheugen dus 2+2+2=6 kloktikken.
Met een systeem-bus van 100MHz is dat dus een tijdsduur van 60nsec.
Het kan zijn dat de timings anders uitvallen wanneer 't gevraagde woord in een andere page in 't geheugen staan (of juist in dezelfde page ;) )

</div><div class=b4> bij een bus van 150MHz kan dit soort geheugen geen CAS3 meer bijhouden en vervalt tot CAS4. Met een totale periode van 6,6667ns kan dergelijk geheugen mede daardoor al niet optijd de.... </div><div class=b1>
Bij 150 MHz bus is de periode-tijd inderdaad 6.66 nsec. maar wederom gaat 't hier om klok-pulsen, dus 3-3-3 @150bus duurt 9*6.666 = 60 nsec. (komt wel op 't zelfde neer, dat 2-2-2 PC100 theoretisch kan gebruikt worden als 3-3-3 PC150 ;) )
Maar dat geheugen terugvalt boven de 150MHz naar CAS4 lijkt me sterk, aangezien de meeste chipsets dit niet aankunnen (met name de BX ieg niet!!)

* 786562 TD-er
* 786562 TD-er
Ik hoor bij een winkel (alhoewel, we zijn een bedrijf, geen winkel; we verkopen *wel* aan particulieren). Ik surf hier inderdaad voor nieuwtjes, en vooral op het gebied van geheugens. Wij verkopen Corsair DIMMs, die wij zelf importeren uit Amerika. Dat spul is inderdaad best duur, maar het punt is nou juist dat het spul daadwerkelijk beter is dan brand-on-third of zelfs third-on-third (de bekende Bokkie-Wokkie DeLuxe en Bokkie-Wokkie Regular geheugens).

TDer en andere ge´nteresseerden:

Eerst gooit de chipset een rij open (een "page") met een /RAS signaal (Row Address Strobe of Row Address Select, daar ben ik niet helemaal uit) inclusief bijbehorend rij-adres. Dan wacht de chipset tRCD, ofwel Row-to-Column Delay, dat is het aantal kloktikjes "b" in de aanduiding PC100-abc-defg. Als de page open is, (dus na "b" kloktikjes), dan komt het /CAS signaal (Column Address Strobe) inclusief kolom-adres, en wacht de chipset CL (Cas Latency, de "a"). Daarna kan de chipset de data op de data-lijn oppikken.

Het addresseren gaat per bit, maar de DIMM levert er 64 parallel af, dus 8 bytes in 1 keer.

Als de chipset nu weet dat het na de inhoud van adres "x" de inhoud van "x+1" nodig heeft (dus de volgende bit uit elke page), dan hoeft'ie daar nix speciaals voor te doen: een teller in de DIMM zelf kan elke kloktik het volgende geheugenadres geven (burst modus). Alleen moet vooraf door de chipset worden opgegeven hoeveel bits er geburst moeten worden, dus 2, 4, 8 bits, of zelfs de hele page (iets zoals 512 bits).

Dit ook weer 64 keer per DIMM, dus elke kloktik komen er 8 bytes over de geheugenbus, gedurende 2,4,8 of zelfs 512 tikken achter elkaar.

(Ik weet (nog) niet of een burst command ook bv. 6 kloktikken mag duren, of dat het per se machten van 2 moeten zijn.... :'( )

Komt er een nieuw geheugenverzoek in dezelfde page, dan is de RAS niet nodig, en wacht je ALLEEN CL. Het is dus belangrijk dat CL laag is (2 is toch wel het minimum met DRAM geheugentechnologie).

Wil de chipset een andere page in dezelfde memory bank openen, dan moet EERST de huidige geopende page worden "gesloten" voor de volgende page aangeroepen kan worden: dat kost tRP (RAS Precharge time), getalletje "c". Er zijn overigens gemiddeld zo'n 4 geheugenbanken in een SDRAM chip, dus een andere page valt in 25% van de gevallen in dezelfde bank.

Aardig geheugen is b.v. PC133-322, met een CL van 3, RCD 2, RP 2. CL komt echter het vaakst voor.

Echt leuk geheugen is dus PC133-222... Dat is ook leuk duur... maar ja je krijgt nix voor nix.
_MAZZA_, een DRAM geheugencel bevat een transistor en een condensator, en is verbonden over 2 lijnen (die we "rij" en "kolom" noemen). Als je spanning zet op "rij", dan loopt de condensator leeg over "kolom" (als er een lading in zat; da's een logische "1"). Merk op dat de condensator leegloopt; lezen = wissen!

Een 8-bits 64 megabit ramchip (met 8 van die chips kun je een 64-bits DIMM maken) met 4 memory banks, heeft dus memory banks van 16 Mb, elk bestaande uit 8 memory fields van 2 Mb (er komt bij elke leesactie 1 bit uit elk memory field). Dat memory field is bijvoorbeeld 4096 rows x 512 columns.
Dit voorbeeld is een heel gangbare maat.

De hoeveelheid lading in de condensator is HEEL klein (30 femtofarad) dus moet dat stroompje worden versterkt, zodat de PC het snapt. Dat doet de Sense & Refresh Amplifier (sense amp). Als je een cel wil uitlezen, dan krijg je echter op ELKE kolom de inhoud van elke cel te zien. De sense amps bevatten dus 512 afzonderlijke bits, waarvan je er maar 1 wilt hebben.

Door /RAS zet je stroom op de rij: de column address decoder zoekt uit welke van de 4096 rijen jij wilde hebben toen je het 12-bits rij-adres stuurde, en die rij gaat "open". Nadat de stroompjes uit de DRAM cellen op gang gekomen zijn en de sense amps die "gesampled" hebben, kun je /CAS sturen, waarmee je aan de column decoder aangeeft welke bit je wilt hebben. In burst modus gaat daarna de volgende bit uit de sense amp, dan weer de volgende enz.
Ben je klaar met deze page, dan hou je de page niet langer open. Dan moeten de sense amps hun inhoud terugschrijven naar de gelezen rij - die was immers gewist! RAS Precharge is de tijd die nodig is om een gelezen rij terug te schrijven, deze delay loop je op als je een andere rij in dezelfde bank wilt aanspreken.
Kan iemand mij vertellen hoe je weet welk type CAS latency je moet kiezen voor je systeem? Hangt dat van je moederbord af, je FSB, of van de hele samenstelling van je systeem? Zijn er tips hiervoor?
Ik las bijv. bij Tom's hardware (zie"issues with VIA Appollo 133A) dat moederborden met de Appollo 133A chipset sterk aan performance verliezen met CAS 3 geheugen.
ik geloof dat de link een beetje fout is gegaan :)

oh, is al weer opgelost...

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.



Apple iOS 10 Google Pixel Apple iPhone 7 Sony PlayStation VR AMD Radeon RX 480 4GB Battlefield 1 Google Android Nougat Watch Dogs 2

© 1998 - 2016 de Persgroep Online Services B.V. Tweakers vormt samen met o.a. Autotrack en Carsom.nl de Persgroep Online Services B.V. Hosting door True