[CoSD]Headbanger schrijft: "Volgens electic.com zijn Toshiba en Fujitsu bezig met de ontwikkeling van 0.11 micron DRAM geheugen. De bedrijven die ook al bezig zijn met 0.13 micron DRAM verwachten het geheugen eind 2002 te kunnen leveren":
Fujitsu Limited and Toshiba Corporation today announced that Winbond will join their collaborative development program for next-generation memory devices. Begun in January 1999, the 30-plus-billion-yen project has pursued development of 0.13um DRAM technology for next-generation ULSIs. With Winbond's participation in this program, development will be extended to cover 0.11um DRAM process technology. The companies aim to fabricate a 0.13um stacked 1giga-bit (Gb) DRAM by the end of 2001, and follow up with a 0.11um 1Gb DRAM by the end of 2002.
Dat duurt dus nog wel een tijdje... maar ja, zijn we in ieder geval klaar voor de toekomst.