IBM heeft de contacten voor een koolstof-nanobuistransistor weten te verkleinen tot minder dan 10nm, zonder dat de prestaties van de transistor hieronder te lijden hadden. Het lukte de wetenschappers met hun procedé de weerstand laag te houden ondanks de verkleining.
Silicium loopt tegen zijn grenzen aan maar voordat koolstof nanobuizen te gebruiken zijn als alternatief, moeten nog flink wat obstakels overwonnen worden, zegt Shu-Jen Han van IBM Research. Een van die obstakels was het kunnen verkleinen van de twee contacten aan weerszijden van het kanaal. De weerstand neemt toe op dergelijk kleine schaal en de effectieve instroom stokt simpelweg als de weerstand bij de contacten te hoog is.
De onderzoekers zijn er nu in geslaagd de contacten te verkleinen tot 9nm, zonder dat de elektrische weerstand toenam door de verkleining. Ze 'lasten' hiervoor het metaal molybdeen aan de uiteinden van de nanotubes en door de hoge temperatuur werd dit omgezet in carbide. Voorheen konden de wetenschappers alleen een metaal direct op de buisjes leggen, met een negatieve invloed op de weerstand.
Hoewel IBM het een grote stap noemt voor het kunnen inzetten van koolstof nanobuizen voor transistors, blijven er veel problemen over die overwonnen moeten worden. Zo hebben ze alleen de bruikbaarheid van het huidige procedé bij transistors met p-kanalen en p-type-contacten aangetoond; bij n-type-contacten verwachten ze tegen moeilijkheden aan te lopen.
Ook zijn er veel hobbels om koolstof nanobuizen te kunnen schalen naar wafers. Het is IBM al wel gelukt koolstof nanobuizen via self-assembly te binden aan moleculen op een wafer, maar het uiteindelijke doel is om de dichtheid te vergroten en het op een hele wafer toe te passen.
Het onderzoek van IBM is gepubliceerd in de Science-editie van 2 oktober onder de noemer End-bonded contacts for carbon nanotube transistors with low, size-independent resistance.