In een poging de opbrengst tijdens chipproductie te maximaliseren, zijn twee onderzoekers erin geslaagd onvolkomenheden in chips, die tijdens de fabricage ontstaan, te repareren.
Doctor Stephen Y. Chou en zijn student Qiangfei Xia van het Nanostructure Laboratory van de universiteit van Princeton hebben een methode ontwikkeld om imperfecties in chips na fabricage weg te smelten. Aangezien het verbeteren van het fabricageproces en het gebruik van clean rooms slechts tot op zekere hoogte de productie kan verbeteren, sloegen Chou en zijn collega een andere weg in. De afwijkingen die door etsen en lithografische bewerkingen ontstaan, zijn niet te voorkomen, zo redeneerden zij: de elektronen en fotonen die tijdens de productie van een halfgeleiderstructuur gebruikt worden, hebben een inherente afwijking, waardoor de gevormde structuren op nanoschaal niet perfect kunnen worden. Hun oplossing is simpel, doeltreffend en betaalbaar: laat de structuren zichzelf repareren.
Hiertoe ontwikkelden Chou en Xia een techniek die zij 'self-perfection by liquefaction' of 'spel' noemen. Daarmee kunnen structuren op een chip gerepareerd worden, zonder dat het noodzakelijk is voor elke fout een specifieke aanpak te ontwikkelen, zoals nu gebruikelijk is. De spel-methode laat delen van de chip kortstondig smelten en na stolling nemen ze beter de beoogde vorm aan. Zo kan een lijn van halfgeleidermateriaal met daarin bobbels en deuken bijna volmaakt recht en even dik worden na smelten en stolling.
De onderzoekers moesten voor hun spel-oplossing twee problemen oplossen: de warmte die nodig is om halfgeleiders en metalen te smelten, zou de hele chip beschadigen en het smelt- en stolproces rondt de structuren op de chip af en maakt ze lager, wat de prestaties negatief beïnvloedt. Door van een excimerlaser, die korte pulsen afgeeft, gebruik te maken, slaagden Chou en zijn team erin het materiaal zeer lokaal en gecontroleerd te laten smelten, zonder onderliggende materialen te beschadigen. Door een plaat boven de te smelten structuren te plaatsen, werden de siliconen- en metalen structuren zelfs hoger in plaats van platter: door capillaire werking trok de plaat gesmolten stucturen omhoog en werden randen rechter. De onderzoekers wisten afwijkingen in lijnen van 8,4nm te verbeteren naar slechts 1,5nm in een 70nm-brede chromiumlijn; de breedte van een siliconenbaan werd gereduceerd van 285 naar 175nm, terwijl de hoogte toenam van 50 naar 90 nanometer. De techniek kan er wellicht voor zorgen dat de Wet van Moore langer kan blijven gelden: diverse halfgeleiderfabrikanten zouden al interesse in de techniek getoond hebben.
