Samsung heeft vandaag bekendgemaakt dat het bedrijf 60nm-technologie voor de massaproductie van 1Gb grote ddr2-chips is gaan gebruiken. De fabrikant claimt de eerste te zijn die zulke grote geheugenchips met de zuinige productiemethode maakt.
Door de dram-chips met 60nm-technologie te produceren, vergroot Samsung de efficiëntie van zijn productielijnen met veertig procent in vergelijking met 80nm-fabricage. Het veelgebruikte 90nm-procédé levert zelfs de helft minder rendement. Het nieuwe geheugen wordt in eerste instantie geleverd op latjes van 512MB, 1GB en 2GB, waarbij de chipjes op 667 of 800Mbps zijn afgeregeld. Vraag naar het geheugen is er voldoende, denkt Samsung: alleen al het uitkomen van Vista, dat volgens het bedrijf aan minder dan een gigabyte niet genoeg heeft om soepel te functioneren, zou ervoor zorgen dat de afzet van de 1Gb 60nm-chips 'in de zeer nabije toekomst' groter zal zijn dan die van 512Mb-silicium. Overigens kondigde Hynix al vorig jaar vergelijkbare 1Gb-chips aan, maar die zouden nog niet in massa geproduceerd worden.
Innovaties zoals driedimensionale transistoren bleken essentieel voor het ontwerp van de nieuwe chips. Samsung gebruikte bij de constructie een variant die 'recess channel array transistor' wordt genoemd. Deze zogenaamde rcat's maakten behalve de verbeterde miniaturisatie ook een hogere dichtheid van componenten mogelijk. Het bedrijf maakt al enige tijd gebruik van dit type transistor, waarvan verwacht wordt dat het te zijner tijd ook de overstap naar 50nm mogelijk zal maken. Vorig jaar oktober liet Samsung al weten dat het onder experimentele omstandigheden 50nm-chips kon maken, maar het zal nog wel even duren voordat die in de winkel terecht komen. De 60nm-chips zullen naar verwachting vanaf volgend jaar de geheugenmarkt gaan domineren.