Infineon bericht dat het bedrijf begonnen is met de levering van de eerste testexemplaren van de kleinste één gigabit DDR-SDRAM chips ter wereld. De chips worden gebakken met behulp van een 110nm CMOS procédé en hebben een oppervlak van slechts 160 vierkante millimeter. Infineon verwacht dat de chips voornamelijk gebruikt zullen worden in reepjes geheugen voor de server- en workstation-markt. De chips kunnen gebruikt worden op DIMM's te produceren met een maximale capaciteit van vier gigabyte en SO-DIMM's met een maximale capaciteit van twee gigabyte. De massaproductie zal begin 2004 starten:
The new 1-Gbit DRAM is packaged in a standard 400-mil, 66-pin Thin Small Outline Package (TSOP) or a 68-ball Fine-pitch Ball Grid Array (FBGA) for space-constrained applications. Supported organizations are x4, x8 and x16. The 1-Gbit Double Data Rate SDRAM covers the whole range of popular DDR data rates from DDR266 through DDR400 operating at 133 MHz through 200 MHz clock speeds, respectively.
[...] The 1-Gbit DDR SDRAM will be used primarily to offer high-density registered and unbuffered modules for the high-end server and workstation market. Target products are registered Dual-Inline Memory Modules (DIMMs) of 4-Gbyte and 2-Gbyte density as well as unbuffered DIMMs of 2-Gbyte density. Small-Outline DIMMs (SO-DIMMs) for notebook computers will be offered in 2-Gbyte and 1-Gbyte densities using the new generation memories. All modules will start sampling in the fourth quarter of 2003 and enter into volume production early 2004.
