Heise meldt dat Toshiba en SanDisk samen een flashchip hebben ontwikkeld met een capaciteit van 4Gbit. Dit maakten de twee bedrijven, die samen een joint venture onder de naam FlashVision Japan hebben gevormd, bekend op een VLSI-conferentie in Kyoto. De fabricage van het NAND-flash gebeurt op basis van een 90nm-productieproces in een Japanse fabriek. Bij de ontwikkeling van het geheugen is gekozen voor een nieuwe celstructuur die twee miljard cellen ondersteunt. De chip met 4Gbit aan opslagcapaciteit zal multi-level cells bevatten, waarbij iedere cel 2 bit aan informatie bevat. Daarnaast komt er een 2Gbit-versie met cellen die ieder 1 bit kunnen opslaan, zogenaamde single-level cells. Begin volgend jaar moeten de chips op de markt verschijnen.