Intel heeft aangekondigd dat de ontwikkeling van hun nieuwe 'P860' 0,13micron koper-interconnect procédé is voltooid. De in weinig details omschreven plannen geven aan dat Intel in de eerste helft van volgend jaar wil beginnen met het bakken van 0,13micron chips. In eerste instantie vindt de productie plaats in Intel's huidige 200mm-wafer fabs, maar later komen daar in de 2002 ook de 300mm fabrieken bij. De oversteek naar het P860 procédé zal als eerste bij de mobile PIII genomen worden. Het voltage van de nieuwe 0,13micron chips ligt op 1,3V of lager:
Claiming to take the lead in chip manufacturing, Intel Corp. here today entered the 0.13-micron race by announcing a new process technology complete with copper-interconnects and low-k dielectrics. The Santa Clara, Calif. chip giant will move its new 0.13-micron technology into production in its 200-mm fabs in the first half of 2001, with plans to ramp up the process in its 300-mm plants in 2002.
The new high-speed logic process, called P860, is a 0.13-micron, six-layer copper-interconnect technology based 130-nm design rules. The 1.3-volt technology also features a 0.07-micron gate length as well as the industry's smallest SRAM cell.
Meer info over de productie technologie van Intel vind je in Intel's Silicon Showcase.