Samsung is de massaproductie begonnen van tsv-ddr4-geheugen in 128GB-modules. Het gaat hierbij om rdimms voor servers, maar Samsung belooft de through silicon via-technologie ook uit te breiden naar consumentenproducten.
De registered dual inline memory modules, of rdimms zijn opgebouwd uit 144 ddr4-chips, die gerangschikt zijn in 36 dram-packages van 4GB. Die packages bevatten op hun beurt vier 8Gb-chips die op 20nm geproduceerd zijn. Samsung heeft de through silicon via-technologie toegepast bij het stapelen van de chips.
Bij de tsv-technologie lopen de interconnects als tunnels door de verschillende plakjes silicium van de gestapelde chips, wat snelheidswinst met zich meebrengt. De doorvoersnelheid van de 128GB ddr4-rdimms bedraagt 2400Mbit/s, bijna het dubbele van de 64GB lrdimms van de vorige generatie, waarbij geen tsv's zijn toegepast. Ook het verbruik zou ten opzichte van die generatie met 50 procent gedaald zijn.
Samsung belooft in de komende weken ook load reduced dimm-varianten van de 128GB-modules uit te brengen. Bovendien zegt de fabrikant de tsv-technologie naar veel meer producten te brengen, waaronder high bandwidth memory, zoals dat inmiddels door AMD voor Radeon-gpu's gebruikt wordt, en andere consumentenproducten. Bovendien stelt het bedrijf een verhoging van de doorvoersnelheid in het verschiet, naar 2667Mbit/s en 3200Mbit/s.