Door Olaf van Miltenburg

Nieuwscoördinator

IBM realiseert 3 bits per cel bij phase-changegeheugen

18-05-2016 • 10:31

4

Helaas!
De video die je probeert te bekijken is niet langer beschikbaar op Tweakers.net.

IBM is er in geslaagd 3 bits per cel te realiseren bij phase-changegeheugen. Het bedrijf wist dit te doen in combinatie met een 64k-cels pcm-array. De doorbraak kan de kosten voor het geheugen flink terugbrengen.

Reacties (4)

4
4
3
1
0
1
Wijzig sortering
Het gaat hier om een nieuw soort geheugen, welke gebruikt kan worden als opvolger voor het huidige NAND geheugen en 1 van de grootste problemen oplossen, namelijk de relatief snelle slijtage van NAND geheugen.
Echter ben ik zelf geen expert op dit gebied. Bij de techniek heeft men een martiaal wat verschillende vaste vormen gebracht kan worden door middel van verhitten en koelen, afhankelijk van welke molecule structuur het aanneemt is er een bepaalde weerstand, en die weerstand bepaald of geheugen cel een 0 , 1 of een 2 is , dus bijvoorbeeld : een lage weerstand noemt men een 0 , een hoge een 2 en wat daar tussen in zit een 1. Op die manier kan 1 geheugen cel dus 3 verschillende bits vormen ( echter niet te gelijk, zoals bijv bij 3d nand, waar 1 cel meerde bits kan opslaan, hierdoor heeft deze techniek een minder hoge dichtheid als bijv MLC / TLC nand)
Men werk al heel lang aan deze techniek, echter is dit de eerste keer dat ik er weer positives over de ontwikkeling hoor.

[Reactie gewijzigd door Verwijderd op 26 juli 2024 18:31]

Wat je beschrijft, hoe is dat anders dan MLC of TLC?
MLC: 2 bits = 4 toestanden.
TLC: 3 bits = 8 toestanden.
3D NAND is gewoon meerdere laagjes van hetzelfde.

Misschien in de war met Intel 3D Xpoint?

[Reactie gewijzigd door Verwijderd op 26 juli 2024 18:31]

Hmmm na een halve dag nog geen reacties... Ik geloof dat de inhoud van dit artikel een beetje te hoog gegrepen is voor de gemiddelde Tweaker (wel voor mij in ieder geval).

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.