Philips heeft een nieuw type geheugen ontwikkeld dat een concurrent moet worden van het huidige flashgeheugen. In Nature Materials heeft Philips deze week een nieuw type geheugen geïntroduceerd dat werkt op basis van fase overgangen. Het geheugen maakt gebruik van een nanodraadje van de metalen antimoon en telluur. Dit materiaal kan in twee verschillende toestanden voorkomen, waardoor het mogelijk is om een bit aan informatie op te slaan in een draadje. Het geheugen kan van fase worden veranderd door middel van een stroompuls en reageert meer dan duizend maal zo snel als conventioneel flashgeheugen. Het uitlezen van de informatie gebeurt door te kijken naar de weerstand van het draadje.
Het geheugen is energiezuiniger dan het huidige flashgeheugen en aanzienlijk kleiner. Onder andere vanwege deze eigenschap zal het geheugen waarschijnlijk ook goedkoper te produceren zijn. Het geheugen is echter niet geschikt als concurrent voor DRAM-geheugen. Het nanogeheugen kan ongeveer een miljoen maal van fase veranderen alvorens kapot te gaan (ongeveer vergelijkbaar met flashgeheugen) waardoor het niet geschikt is als werkgeheugen voor een pc.
