Op SiliconStrategies.com kunnen we lezen dat IBM een embedded DRAM geheugen heeft ontworpen dat bijna zo snel is als een SRAM geheugen. Bij SRAM wordt een geheugenbit met behulp van een data-flipflop, een aantal transistors, opgeslagen. Als je een geheugenplek van een SRAM uitleest, dan gaat de waarde niet verloren. Bij DRAM wordt een bit in het geheugen echter in een condensator opgeslagen. Als je de waarde van de condensator uitleest, dan gaat de inhoud ervan verloren. Bij DRAM moet deze transistor daarom opnieuw opgeladen worden, wat door de gelezen waarde weer terug te schrijven te weeg wordt gebracht. DRAM is dus in feite per definitie twee keer langzamer dan SRAM bij dezelfde klok. Het voordeel van DRAM is echter dat een condensator vele male kleiner is dan een data-flipflop met als gevolg een grotere geheugendichtheid en dus kleinere chips.
Maar wat als je nou ervoor zou kunnen zorgen dat als je een bit leest, deze bit gecached wordt en zo in de volgende cycle transparant teruggeschreven kan worden? Dan hoef je niet meer te terug te schrijven, want dat doet het geheugen zelf, en kun je dus net als bij SRAM bij iedere klok een nieuwe waarde ophalen. Maar daarvoor zijn er wel twee veranderingen nodig. De eerste verandering moet ervoor zorgen dat als je een geheugenplek leest, je van een andere kunt lezen. De andere verandering is een klein stukje cache dat toegevoegd moet worden om de gelezen waarden te cachen. Uiteraard komen er nog enkele anderen problemen om de hoek kijken, maar IBM heeft het voor elkaar gekregen en zal deze nieuwe geheugen architectuur op het komende VLSI symposium presenteren:
IBM Corp. is set to release an embedded DRAM design on Monday (June 10) with cycle times that approach those of SRAM, the current memory of choice for chip-scale systems. The company's Microelectronics Division will introduce an embedded DRAM with a 2.9-nanosecond random access cycle time, slicing off about half the time it takes a conventional architecture to take in commands. The device is ready for use today and built in a 0.13-micron process. The company will present details of a 9-Mbit device at the VLSI Symposium this week in Hawaii.