Electronic News Online schrijft dat Samsung er als eerste in is geslaagd om 4Gbit op slechts één DDR chip te krijgen. Hoewel de chip volledig gemaakt is met een 0.10 micron productieproces is hij met een oppervlak van 645 vierkante mm zeker niet klein. Volgens Samsung zal het nog zeker 3 à 4 jaar duren voordat de chip in massaproductie kan gaan. Tot die tijd is dit alleen mooi voor de marketingafdeling van Samsung, en na die tijd is het mooi voor servers:
Samsung Electronics Co. Ltd. has busted the DRAM density barrier with a working DDR SDRAM chip that has more than four billion transistors, according to the Seoul, Korea-based company. The 4Gbit device makes Samsung the first company to squeeze so many transistors onto a single chip, said Hongil Yoon, a senior Samsung engineer, today at the International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) in San Francisco.
“This 1.8V, 4Gbit DDR DRAM is defined and fabricated with 0.10 micron design rule in its full density for the first time,” Yoon said.
The chip uses a twisted open bitline architecture, and measures a whopping 645 square millimeters, or 1 square inch.
While the chip was an impressive feat of engineering, a mass-produced product would be at least three or four years away, said Nathan Brookwood, principal analyst at Saratoga, Calif.-based Insight 64.
![]() |
Check voor meer informatie over deze chip ook de press release van Samsung.