Intel DC D3-S4510 2,5" 240GB Review
Deze Intel SSD heeft een Total Bytes Written (TBW) van 900TB, ten opzichte van de Samsung die een TBW van 'slechts' 150TB heeft. De prestaties vergeleken met een Samsung is vrijwel gelijk. Grootste verschil zijn de Sequential Write's, die zijn ongeveer 50% langzamer dan Samsung.
Pluspunten
900GB Total Bytes Written 5 jaar garantie Prestaties Prijs
Minpunten
Sequential Write's 50% langzamer dan Samsung
Eindoordeel
Dit zal geen hele uitgebreide review worden maar ik wilde toch graag even mijn mening, bevindingen en vooral een benchmark delen.
Deze Intel DC D3-S4510 240GB heeft een Total Bytes Written (TBW) van 900TB wat een flink stuk meer is dan de populaire Samsung 860 EVO 250GB. De Samsung heeft een TBW van 'slechts' 150GB. Echter is dat voor de meeste van ons geen probleem.
De prestaties zijn dik in orde. Het sequentieel schrijven op de Intel is echter wel ongeveer de helft langzamer dan op een Samsung. Verder doet de Intel niet heel veel onder voor de Samsung.
Zie de afbeelding in deze review voor een CrystalDiskMark benchmark.
Deze Intel DC D3-S4510 240GB heeft een Total Bytes Written (TBW) van 900TB wat een flink stuk meer is dan de populaire Samsung 860 EVO 250GB. De Samsung heeft een TBW van 'slechts' 150GB. Echter is dat voor de meeste van ons geen probleem.
De prestaties zijn dik in orde. Het sequentieel schrijven op de Intel is echter wel ongeveer de helft langzamer dan op een Samsung. Verder doet de Intel niet heel veel onder voor de Samsung.
Zie de afbeelding in deze review voor een CrystalDiskMark benchmark.
Beoordeel deze review:
Heb jij ook een Intel DC D3-S4510 2,5" 240GB?
Deel je ervaringen en help andere tweakers!
Reacties (1)
Tock lijkt deze intel beter geschikt als cache disk voor bijv. unraid dan de Samsung. 6x betere schrijfcyclus, dat is nogal wat, vooral voor een cache ssd.
Om te kunnen reageren moet je ingelogd zijn
/u/52141/crop619569f349de3_cropped.png?f=community)
:strip_icc():strip_exif()/u/55093/UPpharoah.jpg?f=community)