De EE Times bericht dat waarschijnlijk dit jaar nog de eerste ‘Resistive RAM’-samples het daglicht zullen zien. Resistive RAM (RRAM) is een nieuw type geheugen dat een alternatief voor flashgeheugen kan worden. Het geheugen maakt gebruik van de eigenschap dat het mogelijk is om de weerstand van bepaalde dunne laagjes oxiden te wijzigen door middel van een stroomstootje. Hierdoor is het mogelijk om informatie op te slaan en doordat het proces omkeerbaar is kan de informatie ook gewijzigd worden. Het geheugen belooft hoge opslagcapaciteiten met een laag energieverbruik en lage productiekosten.
Hoge snelheiden blijken ook mogelijk te zijn met de techniek. Onderzoekers van Sharp zijn er in geslaagd om lees- en schrijfsnelheden te halen die een factor duizend hoger waren dan mogelijk met NAND-flashgeheugen. Welk productieprocédé gebruikt werd om deze resultaten te behalen en wat de overige specificaties van het geheugen waren worden echter niet vermeld. Verwacht wordt dat de eerste commerciële toepassingen van RRAM mogelijk worden in 2008.