Sony en Toshiba, die eerder samen aan 90nm- en 65nm-geheugen werkten, hebben op een symposium in Japan bekendgemaakt dat ze erin geslaagd zijn om embedded DRAM met 45nm-technologie te produceren. De technologie, die de bedrijven samen rond de 150 miljoen euro lichter maakte, zou in maart 2007 productieklaar zijn; momenteel levert de productie van 256kbit-chips een yield van ruim zestig procent op. Hoewel het kleiner maken van chips op het eerste gezicht simpel genoeg lijkt, moesten de onderzoekers diverse technische foefjes uit de kast halen om de performance van de chips overeind te houden.
De zogenaamde 'deep trench'-condensatoren kampten bij afnemend formaat met een verminderde capaciteit. Om dat te verhelpen werd een nieuw etsproces ingevoerd, waardoor de geëtste groeven een bepaalde vorm gegeven kan worden. Ook werd met aluminiumoxide voor een nieuwe isolator gekozen. Het toepassen van deze technieken op de 65nm-variant leverde een zestig procent betere capaciteit op, volgens een onderzoeker van Toshiba. Daarnaast werd nog eens tien procent prestatiewinst geboekt met een nieuwe techniek die Ultra Shallow Buried Strap is gedoopt. Daarmee kon de afstand tussen verschillende componenten worden verkleind, en bovendien kon het fabricageproces eenvoudiger gehouden worden.
