Sharp heeft een licentie genomen op een nieuwe geheugentechnologie welke zowel het huidige interne geheugen (SDRAM) en het externe geheugen (harddisks) zou moeten vervangen, zo meld Ananova. De techniek maakt, in tegenstelling tot de huidige geheugenchips, geen gebruik van transistoren om de spanning te sturen, en dus informatie op te slaan, maar van weerstanden. De techniek is er op gebaseerd dat de informatie in een geheugenelement kan worden opgeslagen door de weerstand te varieren. Het geheugen is 'non-volatile', wat dus inhoud dat het geheugen de informatie vasthoudt, ook al is er geen stroomvoorziening. Volgens Sharp kunnen we de eerste producten met deze geheugentechnologie binnen drie jaar op de markt verwachten:
The technology involves thin film memory elements made of a material called perovskite. They can be electrically programmed to change their resistance to the passage of electricity. Those differences can be used to hold digital code.
Victor Hsu, of Sharp Laboratories of America, says it could be used in virtually any application that currently employs computer memory chips. He said: "It should lower the costs of PC memory and also operations." Alex Ignatiev, director of the Texas Centre for Superconductivity and Advanced Materials at the University of Houston, said: "This will allow users to access memory much faster; the hard disk is very slow."
Computer memory using the new technology would look essentially the same as the memory being used in today's computers. Mr Ignatiev added: "If you put them under a microscope, they would really look no different. The difference is that traditional memory uses transistors and capacitors, and these use a resistor."